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現場の即戦力 EUV時代の半導体リソグラフィ技術

「EUV時代の半導体リソグラフィ技術」のカバー画像
著者
岡崎信次（おかざきしんじ），鈴木章義（すずきあきよし），上野巧（うえのたくみ）　著
定価
3,520円（本体3,200円＋税10%）
発売日
2026.4.30
判型
A5
頁数
352ページ
ISBN
978-4-297-15462-2 978-4-297-15463-9

サポート情報

概要

限界といわれながら半導体集積回路の高集積化の勢いが止まらない。この高集積化を牽引するリソグラフィ技術に関し、その基本から応用まで詳述する。光リソグラフィ技術の解像限界を突破するマルチパターニング技術から、最先端微細加工を実現するEUVリソグラフィ技術の最新状況を紹介する。さらにマスク作製を一変させたマルチビーム型電子線描画装置の最新状況や、超微細な構造を実現するナノインプリント技術の最新状況まで述べている。

こんな方にオススメ

  • 電子電気系のエンジニア全般
  • 半導体関連の業界を目指す学生

目次

1章　半導体集積回路の発展とリソグラフィ技術の役割

  • 1.1　半導体産業の位置づけとリソグラフィ技術
  • 1.2　リソグラフィ技術とは
  • 1.3　リソグラフィシステムの発展
  • 1.4　まとめ

2章　光リソグラフィ技術

  • 2.1　はじめに
  • 2.2　露光装置の構成
  • 2.3　光露光装置の解像性能
  • 2.4　露光光学系の諸要素
  • 2.5　露光装置の全体性能
  • 2.6　光リソグラフィの今後

3章　EUVリソグラフィ

  • 3.1　はじめに
  • 3.2　露光装置の構成
  • 3.3　露光光学系
  • 3.4　EUV露光を形成する諸要素
  • 3.5　EUV露光系の結像性能
  • 3.6　高NA EUV露光装置のシステム
  • 3.7　EUVリソグラフィの将来

4章　電子線リソグラフィ技術

  • 4.1　はじめに
  • 4.2　レジスト中での電子の散乱とエネルギーの堆積
  • 4.3　近接効果とその補正技術
  • 4.4　電子線描画方式

5章　ナノインプリントリソグラフィ技術

  • 5.1　はじめに
  • 5.2　NIL技術
  • 5.3　NIL技術の技術と性能

6章　レジスト

  • 6.1　リソグラフィの動向とレジスト
  • 6.2　レジストに要求される性質
  • 6.3　リソグラフィ技術で用いる露光波長と光化学
  • 6.4　光化学
  • 6.5　EUV（X線）と分子との相互作用
  • 6.6　電子線と分子との相互作用
  • 6.7　現像　有機溶媒現像とアルカリ現像
  • 6.8　ｇ線、i線用ジアゾナフトキノン（DNQ）－ノボラック樹脂系ポジ型フォトレジス
  • 6.9　KrFエキシマレーザ（248nm）用化学増幅系レジスト
  • 6.10　ArFエキシマレーザ（1９３nm）リソグラフィ用化学増幅レジスト
  • 6.11　ArF液浸用レジスト
  • 6.12　EUV（Extreme UV）用レジスト
  • 6.13　電子線レジスト
  • 6.14　自己組織化パターン形成DSA（Directed Self Assembly）
  • 6.15　微細加工用レジストの課題
  • 6.16　今後の課題

7章　マルチパターニング技術　MPT：Multiple Patterning Technology

  • 7.1　はじめに
  • 7.2　LELE型マルチパターニング技術
  • 7.3　Sidewall Spacer型マルチパターニング技術
  • 7.4　微細ピッチ及び微細寸法のコンタクトホールパターンの形成
  • 7.5　MPT技術利用の効果
  • 7.6　その他のMPT技術
  • 7.7　レジスト膜の多層化技術

8章　マスク技術

  • 8.1　はじめに
  • 8.2　マスクパターンの作成
  • 8.3　光リソグラフィ用マスク
  • 8.4　EUVリソグラフィ用マスク
  • 8.5　カーブリニア型マスクとマルチビーム型電子線描画装置
  • 8.6　SMO技術（Source Mask Optimization技術）
  • 8.7　欠陥検査・修正技術
  • 8.8　NIL用のマスク

9章　計測評価技術

  • 9.1　はじめに
  • 9.2　レジストパターンの計測評価
  • 9.3　ストキャスティック欠陥の検査
  • 9.4　Line Edge Roughness（LER）・Line Width Roughness（LWR）の計測
  • 9.5　OCDによる寸法計測
  • 9.6　パターン位置の計測評価
  • 9.7　重ね合わせ精度およびEdge Placement Errorの計測評価
  • 9.8　AFM、STMやCD-SAXを用いた寸法計測

10章　半導体リソグラフィ技術の今後の展開

  • 10.1　半導体集積回路寸法微細化の動向
  • 10.2　半導体プロセスにおけるCO2排出量の問題
  • 10.3　半導体リソグラフィ技術の今後の課題

プロフィール

岡崎信次（おかざきしんじ）

1970年東京工業大学理工学部電子工学科卒業。1970年（株）日立製作所中央研究所に入所。1994年東京工業大学より工学博士授与。1995年同社半導体事業部、1998年同社デバイス開発センターに異動、同年ASET に出向、EUV 研究室室長としてEUV リソグラフィ技術の研究に従事。2006年日立中研に帰任。2009年日立を退職し、ギガフォトン株式会社に入社。EUVA に出向、2011年、ギガフォトンに戻り、2017年に退職、ALITECS ㈱に入社し、現在に至る。IEEE Life Fellow、SPIE Fellow、応用物理学会Fellow。

鈴木章義（すずきあきよし）

1973年東京大学工学部物理工学専門課程修士卒業。1973年キヤノン入社、以降一貫して半導体露光装置の光学システムの開発に従事する。コンタクト／ プロキシミティ、等倍ミラープロジェクション、g 線／i 線／KrF／ArF／F2／ArF 液浸／EUV／ ナノインプリント／ 液晶など広範な光露光装置開発に関与した。2014年キヤノン退職後ギガフォトンに入社し2019年同社を退職。2016年よりAS リソグラフィコンサルティングを主宰し現在に到る。1991年東京大学より工学博士授与。2004年初代キヤノンフェロー、2005年SPIE（国際光学会）フェローに就任、2015 ～ 2017年SPIE 理事。1984年機械振興協会賞、1985年応用物理学会光学論文賞、2006年新機械振興協会賞、2019年 Frits Zernike Award （SPIE）受賞。

上野巧（うえのたくみ）

1979年東京工業大学大学院理工学研究科博士課程修了（理学博士）。1979年（株）日立製作所中央研究所に入所。1995年同社日立研究所。2001年日立化成工業（株）総合研究所（2002年－ 2005年日立化成デュポンマイクロシステムズへ出向）、2012年より信州大学繊維学部特任教授。